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mos管成型机选择-mos管生产工艺

成型机 1个月前 (04-14) 2

文章阐述了关于mos管成型机选择，以及mos管生产工艺的信息，欢迎批评指正。

文章信息一览：

选择/设计MOS管驱动时第一个要留意的是可提供瞬间短路电流的大小；第二个要留意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要栅极电压大于源极电压。

选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

（图片来源网络，侵删）

. 选择MOSFET的耐压 MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。如果是感性负载，或者是开关频率比较高，选择工作电流选择工作电流，许多工程师都在这里踩过大坑。

1、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

2、该产品技术优秀。瑞凌mos管的称为一代神机是因为该产品技术优秀。IGBT技术更加成熟，焊机相对故障率更低。MOS管的直流焊机最大做到315A的。IGBT从200A做到。一般200A到400A的都是用的是单管IGBT，500A的是用的模块IGBT。

（图片来源网络，侵删）

3、逆变焊机，分MOS管，IGBT单管，IGBT模块。mos管，看着就像三极管，很小，一般都是电磁炉什么的在用。一般160的TIG机子是双臂，一臂是4个管子，双臂就是8个管子。

4、贵的好，简单吧。逆变焊机，分MOS管，IGBT单管，IGBT模块。mos管，看着就像三极管，很小，一般都是电磁炉什么的在用。一般160的TIG机子是双臂，一臂是4个管子，双臂就是8个管子。

1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

2、根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

3、这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。

4、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

5、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

1、一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。

2、总之，在选择MOSFET时，需要综合考虑各种影响效率的指标，如电压等级、导通电阻、栅极电荷、优值系数、额定电流和功率耗散等。只有在充分了解这些指标的基础上，才能确保MOSFET在缓启动和防反接等应用中发挥最佳性能。

3、小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

4、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

5、在选择开关管时，有几个关键因素需要注意。本文将为大家介绍这些因素，帮助大家更好地选择开关管。导通与截止时间对于三极管，开关频率有个极限值，就是40KHz。开关管导通时间得小于5uS，而关断时间是1uS。

6、在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

1、热阻，MOS管开通太快容易产生EMI干扰，开通过慢又会增加功耗，驱动电路要仔细设计。

2、那么驱动的前提条件就达到了。这里的信号可以是处理器给的，可以是某个芯片的pwm信号。你需要找的应该是mos管的驱动电路，这个在百度能搜到很多。如果我回答的不是你想要了解的，追问我。当然了，还有其它问题也可以追问。

3、选择/设计MOS管驱动时第一个要留意的是可提供瞬间短路电流的大小；第二个要留意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要栅极电压大于源极电压。

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